光學平臺產品及廠家
日本elionix 微細加式電子束曝光電子束直寫機els-f125，是elionix推出的上臺加速電壓達125kv的電子束曝光系統(tǒng)，其可加工線寬下限為5nm的精細圖形。
更新時間:2025-06-25
日本elionix 超高精密電子束光刻系統(tǒng) els-f150, 是上第 個150千伏電子束光刻系統(tǒng)。支持單位納米用于高研究的設備制造。
更新時間:2025-06-25
日本電子 jsm-7610fplus，用于納米科學的肖特基場發(fā)射掃描電子顯微鏡， 是款采用半浸沒式物鏡、擁有超高分辨率的場發(fā)射掃描電子顯heidelberg 海德堡 μmla桌面無掩模光刻機
更新時間:2025-06-25
dwl 66+激光光刻系統(tǒng)是具經濟效益的高分辨率圖像產生器, 具有多種直寫模塊，實現(xiàn)不同精度直寫需求, 能于結構上進行灰度曝光
更新時間:2025-06-25
德國海德堡 heidelberg 激光直寫光刻機 mla150,德國高精密激光直寫繪圖機,非接觸式曝光,可支持高效數(shù)位光刻與灰度光刻.
更新時間:2025-06-25
octoplus 500 mbe系統(tǒng)是為了在6英寸襯底上生長高質量的iii/v族或者ii-vi族異質結構材料而研發(fā)業(yè)分子束外延系統(tǒng)。樣品臺選用熱解石墨加熱或者鎢、鉭加熱絲。標準的octoplus 500有11個呈放射狀分布的源孔，可以根據(jù)需要增選3個源孔。
更新時間:2025-06-25
德國leica em txp全新精研一體機，是一款獨特的可對目標區(qū)域進行精確定位的表面處理工具，特別適合于sem，tem及l(fā)m觀察之對樣品進行切割、拋光等系列處理。它尤其適合于制備高難度樣品，如需要對目標精細定位或需對肉眼難以觀察的微小目標進行定點處理。
更新時間:2025-06-25
keyence 基恩士 形狀測量激光顯微系統(tǒng)全新 vk-x3000，納米 / 微米 / 毫米，一臺即可完成測量。292 種分析工具，一臺即可了解希望獲取的信息。一臺即包含了光學顯微鏡，臺階儀，光學輪廓儀，及電鏡功能。
更新時間:2025-06-25
奧地利smartnil紫外納米壓。篹vg7200，leds 制作，led pss納米壓印工藝，led納米透鏡陣列；微流體學；芯片實驗室；抗反射層； 納米壓印光柵； 蓮花效應；光子帶隙；光學及通訊：光晶體，激光器件；生物技術解決方案：醫(yī)藥分析，血液分析，細胞生長。
更新時間:2025-06-25
evg610是一款非常靈活的適用于研發(fā)和小批量試產的對準系統(tǒng)，可處理大200mm之內的各種規(guī)格的晶片。evg610支持各種標準的光刻工藝，例如：真空、軟、硬接觸和接近曝光；也支持其他特殊的應用，如鍵合對準、納米壓印光刻、微接觸印刷等。系統(tǒng)中的工具更換非常簡便快捷，每次更換都可在一分鐘之內完成，而不需要門的工程人員和培訓，非常適合大學、研究所的科研實驗和小批量生產。
更新時間:2025-06-25
奧地利evg鍵合機：evg510，是一款半自動晶圓鍵合系統(tǒng)，可以處理大200mm的晶圓，非常適合于研發(fā)和小批量生產。evg510提供了除上料和下料外的全自動工藝處理過程，并配備了業(yè)界公認的優(yōu)異的加熱和壓力均勻性系統(tǒng)。evg510模塊化的鍵合腔室設計可用于150mm或200mm晶圓鍵合，并且其工藝菜單與evg其他更高系列的鍵合機相匹配，可以方便的實現(xiàn)從實驗線到量產線的工藝復制。
更新時間:2025-06-25
evg520is是一款設計用于小批量生產的半自動晶圓鍵合系統(tǒng)， 大硅片允許尺寸為200mm。集evg新技術及客戶反饋基礎上設計的evg520is，配備了evg公司的利吸盤設計---這種吸盤可以提供對稱的快速加熱和冷卻功能。evg520is的很多優(yōu)勢特性，如獨立的上下盤加熱和高壓鍵合工藝、高度的材料和工藝靈活性等，都幫助客戶很好的實施鍵合研究和生產。
更新時間:2025-06-25
evg620 單面/雙面光刻機(帶有壓印功能），evg620 是一款非常靈活和可靠的光刻設備，可配置為半自動也可以為全自動形式。evg620 既可以用作雙面光刻機也可以用作 150mm 硅片的精確對準設備；既可以用作研發(fā)設備，也可以用作量產設備。精密的契型補償
更新時間:2025-06-25
美國neocera 脈沖激光沉積系統(tǒng)pioneer 180-2-pld,一種用途廣泛的、用于薄膜沉積以及納米結構和納米粒子合成的方法
更新時間:2025-06-25
2英寸氮化鎵自支撐晶片, 10×10.5mm²氮化鎵自支撐晶片, 非性/半性氮化鎵自支撐晶片, 4英寸氮化鎵厚膜晶片, 2英寸氮化鋁厚膜晶片, 2英寸氮化鎵厚膜晶片
更新時間:2025-06-25
法國annealsys 高溫退火爐as-one, 多用途快速熱處理設備，適用于硅，化合物半導體，太陽能電池& mems.
更新時間:2025-06-25
日本rion液體光學顆粒度儀ks-19f,寬廣的測試范圍，可測試 0.03~0.13um 之間的顆粒只需要小小的樣品取樣量就可以得到高效率高精準的顆粒數(shù)據(jù)。octoplus 400 是一款通用型mbe系統(tǒng)，非常適合于iii/v族， ii/vi族，及其他復合半導體材料應用。兼容2-4英寸標準晶片。豎直分割式腔體設計，可以裝配各種源爐，實現(xiàn)不同材料分子束外延生長。
更新時間:2025-06-25
evg的hercules nil 300 mm是一個完全集成的納米壓印系統(tǒng)，是evg的nil產品組合的新成員。 hercules nil基于模塊化平臺，在單個平臺上將清洗模塊，抗蝕劑涂層模塊和烘烤預處理模塊與evg的有smartnil大面積納米壓。╪il）模塊結合在一起，用于直徑大為300 mm的晶片。
更新時間:2025-06-25
evg720紫外納米壓印用于從印章到襯底的紫外圖形轉移。evg720自動納米壓印系統(tǒng)允許襯底和印章的尺寸從很小的芯片到150mm直徑的圓片范圍。
更新時間:2025-06-25
液體光學顆粒度儀 ks-42c，寬廣的測試范圍，可測試 0.5~20um 之間的顆粒只需要小小的樣品取樣量就可以得到高效率高精準的顆粒數(shù)據(jù)。
更新時間:2025-06-25
美國 lakeshore 振動樣品磁強計 8600系列：model 8604, model 8607, 更科學，更高效
更新時間:2025-06-25
德國yxlon 定制化的標準x射線檢測系統(tǒng)cheetah evo，為封裝檢測、半導體及實驗室應用量身定制、
更新時間:2025-06-25
德國yxlon 定制化的緊湊型標準x射線檢測系統(tǒng)cougar evo ，為封裝檢測、半導體及實驗室應用量身定制
更新時間:2025-06-25
韓ecopia 變溫光霍爾效應測試儀 hms-7000，可以通過改變照射在樣品上的不同波長范圍的光源（紅、綠、藍光源）， 得出載流子濃度、遷移率、電阻率及霍爾系數(shù)等半導體電學重要參數(shù)隨光源強度變化的曲線。
更新時間:2025-06-25
日本rion光遮蔽粒子計數(shù)器 kl-05,（光滲透法），可測試粒徑范圍：1~20個通道范圍，1.3μm~100（0.1μm的間隔）大粒子數(shù)濃度：10 000 顆/l （誤差值低于10%）
更新時間:2025-06-25
日本rion液體光學顆粒度儀：ks-93( 光散射法），大粒子數(shù)濃度：30 000 顆/l （誤差值低于5%），粒徑范圍（5個通道）：≥0.1μm， ≥0.15μm ， ≥0.2μm ， ≥0.3μm, ≥0.5μm， ≥25μm
更新時間:2025-06-25
日本rion粒子計數(shù)器：kc-22a ( 光散射法）,大粒子數(shù)濃度：10000顆/l （誤差值低于5%）,可檢測從純水到氫氟酸各種各樣的液體。
更新時間:2025-06-25
日本rion粒子計數(shù)器：kc-22b ( 光散射法）,液體粒子計數(shù)器，可檢測從純水到氫氟酸各種各樣的液體。
更新時間:2025-06-25
日本rion氣體粒子計數(shù)器kc-31 ( 光散射法）,測試粒徑（6個通道）,大粒子數(shù)濃度：28000000 顆/l
更新時間:2025-06-25
日本rion氣體粒子計數(shù)器：kc-32 ( 光散射法）測試粒徑（6個通道）：≥0.3μm， ≥0.5μm ， ≥1μm ， ≥2μm， ≥5μm, ≥10μm
更新時間:2025-06-25
日本rion氣體粒子計數(shù)器：kc-20a ( 光散射法）,測試粒徑（5個通道）：≥10μm， ≥20μm ， ≥30μm ， ≥50μm， ≥100μm
更新時間:2025-06-25
日本rion粒子計數(shù)器：ka-05( 光散射方式）,多點監(jiān)視用粒子計數(shù)器,測試粒徑（2個通道）：≥0.5μm ， ≥5.0μm
更新時間:2025-06-25
日本rio液體粒子計數(shù)器ke-18fx ( 光散射法）,測試粒徑（4個通道）：≥0.04μm， ≥0.08μm ， ≥0.1μm ， ≥0.15μm，
更新時間:2025-06-25
日本rion液體光學顆粒度儀 ks-42d ( 光散射法），大粒子數(shù)濃度：10 000 顆/l （誤差值低于10%），粒徑范圍（8個通道，出廠默認）：≥2μm， ≥3μm ， ≥5μm ， ≥7μm, ≥10μm， ≥25μm ， ≥50μm ， ≥100μm(可選 ≥150μm）
更新時間:2025-06-25
日本rion粒子計數(shù)器：kl-30ax ( 光散射法）,大粒子數(shù)濃度：15 000 顆/l （誤差值低于10%）, 粒徑范圍（4個通道，工廠標配）：≥0.04μm， ≥0.08μm ， ≥0.1μm ， ≥0.15μm
更新時間:2025-06-25
日本rion氣體粒子計數(shù)器：kl-30a ( 光散射法）, 測純水，可打印。大粒子數(shù)濃度：15 000 顆/l （誤差值低于10%）, 粒徑范圍（4個通道，出廠設置）：≥0.05μm， ≥0.1μm ， ≥0.15μm ， ≥0.2μm
更新時間:2025-06-25
日本rion氣體粒子計數(shù)器：kl-30b ( 光散射法）, 測純水，可打印。大粒子數(shù)濃度：200 000 顆/l （誤差值低于10%），粒徑范圍（4個通道，出廠設置）：≥0.05μm， ≥0.1μm ， ≥0.15μm ， ≥0.2μm
更新時間:2025-06-25
日本rion 手持式粒子計數(shù)器：kc-51( 光散射方式）,大粒子數(shù)濃度：140 000 000顆/m³ （誤差值低于10%）
更新時間:2025-06-25
日本rion 手持式粒子計數(shù)器：kc-52( 光散射方式）,粒徑范圍：5個通道： 0.3μm ， 0.5μm , 1.0μm , 2.0μm, 5.0μm, 大粒子數(shù)濃度：140 000 000顆/m³ （誤差值低于10%）
更新時間:2025-06-25
日本rion氣體粒子計數(shù)器：ka-02( 光散射方式）,多點監(jiān)視用粒子計數(shù)器，測試粒徑（2個通道）：≥0.3μm ， ≥0.5μm，大粒子數(shù)濃度：140 000 000顆/l （誤差值低于10%）
更新時間:2025-06-25
日本rion氣體粒子計數(shù)器：ka-03( 光散射方式）,多點監(jiān)視用粒子計數(shù)器，測試粒徑（5個通道）：≥0.3μm ， ≥0.5μm ，≥1μm ， ≥2μm ，≥5μm ，大粒子數(shù)濃度：140 000 000顆/l （誤差值低于10%）
更新時間:2025-06-25
日本rion氣體粒子計數(shù)器：ka-82( 光散射方式）,多點監(jiān)視用粒子計數(shù)器，測試粒徑（5個通道）：≥0.1μm ， ≥0.15μm， ≥0.2μm ， ≥0.3μm ， ≥0.5μm ，大粒子數(shù)濃度：10 000顆/l （誤差值低于5%）
更新時間:2025-06-25
玻璃去油墨設備,采用訂制紫外納激光器對玻璃表面進行去油墨以及油墨微加工， 將產品損傷降至低。
更新時間:2025-06-25
oai 800型光學正面和背面光刻機系統(tǒng), 是半自動,four-camera、光學正面和背面光刻機。它提供其精確的(1碌m - 2 m碌)對準精度,旨在大大超過任何紅外背后對準器性能的一個非常有競爭力的價格。通用模型800光刻機是理想的用于低產量、研發(fā)實驗室和大學。
更新時間:2025-06-25
瑞士nanofrazor 3d納米結構高速直寫機，源于發(fā)明stm和afm的ibm蘇黎世研發(fā)中心，是其在納米加工技術的新研究成果。nanofrazor納米3d結構直寫機第 一次將納米尺度下的3d結構直寫工藝快速化、穩(wěn)定化。
更新時間:2025-06-25
nanoarch科研3d打印機m160 ，本套系統(tǒng)創(chuàng)新地使用了自動化的多材料送料系統(tǒng)，兼顧高精度和多材料打印，可支持同時打印4種樹脂基復合材料進行層間或層內多材料3d打印，適用于基礎理論驗證及原理創(chuàng)新研究，非常適合高校和研究機構用于科學研究及應用創(chuàng)新。其主要應用在點陣結構材料、功能梯度材料、超材料、復合材料、復雜微流控，多材料4d打印等方面。
更新時間:2025-06-25
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