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探測(cè)器產(chǎn)品及廠家

藍(lán)菲光學(xué)LFFM-20高速頻閃儀
藍(lán)菲光學(xué)lffm-20高速頻閃儀根據(jù)當(dāng)今國際上測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)而進(jìn)行設(shè)計(jì),采用高速功率計(jì)對(duì)光信號(hào)進(jìn)行采樣,通過全新的軟件進(jìn)行數(shù)據(jù)分析和處理,能夠滿足研發(fā)到生產(chǎn),不同類型的測(cè)試需求。
更新時(shí)間:2025-06-12
Photek像增強(qiáng)器
像增強(qiáng)器將微弱光信號(hào)通過電子倍增的方式放大,同時(shí)陰極可以帶上2ns的時(shí)間快門,用于微弱光測(cè)量和快速光學(xué)測(cè)量。photek生產(chǎn)的像增強(qiáng)器有多種標(biāo)準(zhǔn)品選擇,提供現(xiàn)在市場(chǎng)上*大口徑(150mm)的像增強(qiáng)器。為了滿足科研用戶的不同使用要求,提供按照要求訂制的像增強(qiáng)器。
更新時(shí)間:2025-06-12
真空粒子影像探測(cè)器
真空粒子影像探測(cè)器(vid)是不帶陰極的成像系統(tǒng),可以直接感應(yīng)粒子,然后通過mcp放大信號(hào),探測(cè)器可以直接與真空腔連接,探測(cè)范圍包含帶電粒子、uv光子、中子等。
更新時(shí)間:2025-06-12
Blue系列光纖光譜儀
實(shí)用性光纖光譜儀,ct結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),波長范圍200-1100nm,采用2048像素的ccd陣列。標(biāo)準(zhǔn)化sma905光纖接口和usb2.0接口支持16bit的ad轉(zhuǎn)換。
更新時(shí)間:2025-06-12
固體YAG激光器Q-Smart 1500
在輸出能量加倍的基礎(chǔ)上,固體yag激光器q-smart 1500/1200 延續(xù)了quantel 在固體激光腔體結(jié)構(gòu)、熱管理、高效電源、先進(jìn)位相匹配技術(shù)方面的優(yōu)勢(shì),從而確保其一貫的穩(wěn)定性和便利性:
更新時(shí)間:2025-06-12
中遠(yuǎn)紅外低重頻脈沖激光波長測(cè)量
基于多年激光波長計(jì)、頻譜儀的經(jīng)驗(yàn),bristol推出772中遠(yuǎn)紅外低重頻脈沖激光波長測(cè)量,最低可測(cè)量100hz重復(fù)頻率激光的光譜,為中遠(yuǎn)紅外激光研發(fā)生產(chǎn)、紅外tdlas等領(lǐng)域客戶提供全新的有力工具。
更新時(shí)間:2025-06-12
HeNe激光器
原melles griot品牌氦氖激光器在業(yè)界久負(fù)盛名,全系列具備tem00模式輸出、緊湊體積和高度穩(wěn)定性,尤為有特色的是穩(wěn)頻氦氖激光器、綠光氦氖激光器以及高功率氦氖激光器。pacific lasertec公司2018年成立于美國,全面繼承melles griot的生產(chǎn)設(shè)備、技術(shù)和生產(chǎn)團(tuán)隊(duì)及其逾40年氦氖激光器生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn),為全球客戶繼續(xù)提供高品質(zhì)hene激光器。
更新時(shí)間:2025-06-12
VCSEL垂直腔面發(fā)射激光器功率測(cè)試方案
vcsel垂直腔面發(fā)射激光器功率測(cè)試方案使用獨(dú)有的spectralon 、permaflect或spectraflect積分球?qū)ζ骷l(fā)光進(jìn)行收集。該材料對(duì)紫外-可見-紅外范圍內(nèi)的光都具有極高的光譜反射率,可分別滿足研發(fā)端和產(chǎn)線段對(duì)高低溫度測(cè)試和產(chǎn)線端設(shè)備免維護(hù)性的要求。此外,通過選擇不同尺寸的積分球,可以滿足從毫瓦到千瓦量級(jí)的激光功率測(cè)試。
更新時(shí)間:2025-06-12
Si-PIN探測(cè)器
moxtek公司生產(chǎn)的si-pin探測(cè)器基于公司超低噪聲的jfet電路及優(yōu)異的鈹窗技術(shù)研制而成,主要應(yīng)用于手持式或臺(tái)式x射線熒光光譜儀中,作為能量分辨的探測(cè)器。 xpin-xt探測(cè)器主要技術(shù)指標(biāo)有效探測(cè)面積:6 mm2 、 13 mm2硅片厚度:450um、625um
更新時(shí)間:2025-06-12
Si-PIN探測(cè)器
moxtek公司成立于1986年,分為x射線部門和光學(xué)器件部門,是全球知名的高科技企業(yè),為客戶提供創(chuàng)新的產(chǎn)品應(yīng)用方案。moxtek生產(chǎn)的si-pin探測(cè)器基于公司超低噪聲的jfet電路及優(yōu)異的鈹窗技術(shù)研制而成,主要應(yīng)用于手持式或臺(tái)式x射線熒光光譜儀中,作為能量分辨的探測(cè)器。
更新時(shí)間:2025-06-12
VITUS-SDD探測(cè)器
德國ketek是世界上最早生產(chǎn)硅漂移探測(cè)器的公司產(chǎn)品具備高能量分辨、高計(jì)數(shù)率、高穩(wěn)定性、兼容性強(qiáng)、操作簡便等優(yōu)點(diǎn),多次隨美國火星探測(cè)器登陸火星,為人類獲得了許多火星上物質(zhì)主要成分的第一手資料。目前仍有7年前發(fā)射到火星的ketek探測(cè)器可以正常工作。
更新時(shí)間:2025-06-12
VIAMP-SDD探測(cè)器
德國ketek是世界上最早生產(chǎn)硅漂移探測(cè)器的公司產(chǎn)品具備高能量分辨、高計(jì)數(shù)率、高穩(wěn)定性、兼容性強(qiáng)、操作簡便等優(yōu)點(diǎn),多次隨美國火星探測(cè)器登陸火星,為人類獲得了許多火星上物質(zhì)主要成分的第一手資料。目前仍有7年前發(fā)射到火星的ketek探測(cè)器可以正常工作。
更新時(shí)間:2025-06-12
AXAS-A-SDD探測(cè)器
集成了vitus系列的sdd探測(cè)器的分析系統(tǒng),使用了脈沖復(fù)位機(jī)制的前置放大器,從而保證了探測(cè)器能夠在高計(jì)數(shù)率下工作集成供電高壓電路,溫控電路,用戶只需使用±12v電源即可,使用方便用戶可以定制封裝探測(cè)器的finger的長度,標(biāo)準(zhǔn)長度為100mm,另有多種長度可選高度集成化設(shè)計(jì),外形緊湊,便于集成德國ketek是世界上最早生產(chǎn)硅漂移探測(cè)器的公司產(chǎn)品具備高能量分辨、高計(jì)數(shù)率、高穩(wěn)定性、兼容性強(qiáng)、操作簡便等優(yōu)點(diǎn),多次隨美國火星探測(cè)器登陸火星,為人類獲取了許多火星主要成分的第一手資料。目前仍有7年前發(fā)射到火星的ketek探測(cè)器可以正常工作。
更新時(shí)間:2025-06-12
AXAS-D-SDD探測(cè)器
集成了vitus系列的sdd探測(cè)器的分析系統(tǒng),使用了脈沖復(fù)位機(jī)制的前置放大器,從而保證了探測(cè)器能夠在高計(jì)數(shù)率下工作集成供電高壓電路,溫控電路,用戶只需使用±12v電源即可,使用方便用戶可以定制封裝探測(cè)器的finger的長度,標(biāo)準(zhǔn)長度為100mm,另有多種長度可選高度集成化設(shè)計(jì),外形緊湊,便于集成德國ketek是世界上最早生產(chǎn)硅漂移探測(cè)器的公司產(chǎn)品具備高能量分辨、高計(jì)數(shù)率、高穩(wěn)定性、兼容性強(qiáng)、操作簡便等優(yōu)點(diǎn),多次隨美國火星探測(cè)器登陸火星,為人類獲取了許多火星主要成分的第一手資料。目前仍有7年前發(fā)射到火星的ketek探測(cè)器可以正常工作。
更新時(shí)間:2025-06-12
Andor單點(diǎn)探測(cè)器
除ccd 及ingaas 陣列探測(cè)器以外,andor 提供大量單點(diǎn)探測(cè)器配合shamrock 系列光譜儀使用,以便擴(kuò)展光譜儀的應(yīng)用方式和波段范圍:? pmt 探測(cè)器,185 - 900nm? 半導(dǎo)體探測(cè)器 200 - 1100nm? ingaas 單點(diǎn)探測(cè)器 800 - 1900nm? pbs 探測(cè)器 800 - 2900nm
更新時(shí)間:2025-06-12
薄膜熱釋電紅外探測(cè)器
目前市面上存在兩種紅外光譜儀:光柵分光紅外譜儀和傅立葉變換紅外譜儀(ft-ir)。針對(duì)這種應(yīng)用,pyreos公司可以提供兩種探測(cè)器解決方案:1.線陣列型探測(cè)器+線性變化紅外濾光片;2.單點(diǎn)探測(cè)器+紅外濾光片
更新時(shí)間:2025-06-12
X射線源和探測(cè)器
美國moxtek公司是一家專業(yè)的小型x射線源和探測(cè)器的生產(chǎn)商,為您提供性能、價(jià)格相對(duì)低廉用于生產(chǎn)手持式以及臺(tái)式x射線熒光光譜分析儀的元件。
更新時(shí)間:2025-06-12
紫外增強(qiáng)硅探測(cè)器
a5v-35uv是全球的探測(cè)器生產(chǎn)廠家osi公司生產(chǎn)的35通道紫外增強(qiáng)硅探測(cè)器, 非常適合應(yīng)用于此類分光光度計(jì). 先鋒科技股份有限公司作為osi在國內(nèi)此領(lǐng)域的代理商,為國內(nèi)客戶提供適用于生化分析儀的探測(cè)器。
更新時(shí)間:2025-06-12
傅里葉紅外光譜儀FTIR專用紅外探測(cè)器
紅外光譜是分子分析的重要手段,幾乎所有的分子都有其獨(dú)特的紅外“指紋”,傅里葉紅外光譜(ftir)已經(jīng)成為工業(yè)紅外光譜分析的標(biāo)準(zhǔn)手段。目前ftir的探測(cè)器通常選用兩種,分別為dtgs和液氮制冷mct探測(cè)器。dtgs屬熱釋電探測(cè)器,響應(yīng)速度快,噪聲影響小,能實(shí)現(xiàn)高速掃描;mct碲鎘汞屬光檢測(cè)器,靈敏度高。
更新時(shí)間:2025-06-12
先鋒科技邀你參加BCEIA2019
更新時(shí)間:2025-06-12
CMOS平板探測(cè)器
cmos x射線相機(jī)由單個(gè)半導(dǎo)體硅片制成,可直接探測(cè)可見光或配合閃爍晶體用于探測(cè)x光和其它高能輻射。針對(duì)不同應(yīng)用,可配備不同厚度gadox或針狀csi閃爍體,是醫(yī)學(xué)診斷,工業(yè)檢測(cè),科學(xué)成像的理想解決方案,標(biāo)準(zhǔn)能量測(cè)試范圍為不超過220kv,根據(jù)客戶要求,能量可到400kv,采用camera link接口,全分辨率下最高可到65幀/秒
更新時(shí)間:2025-06-12
VITUS系列SDD探測(cè)器
硅漂移x射線sdd探測(cè)器ketek 是的sdd 探測(cè)器生產(chǎn)商,其生產(chǎn)的sdd 探測(cè)器廣泛的應(yīng)用于分析儀器制備,科學(xué)研究以及宇宙探索等諸多領(lǐng)域。按照產(chǎn)品的功能分類,ketek 的探測(cè)器分為,vitus,viamp,axas-a,axas-d,axas-m 五個(gè)系列。
更新時(shí)間:2025-06-12
338系列快速波長計(jì)
bristol公司新推出338系列快速波長計(jì),能夠同時(shí)測(cè)量連續(xù)和調(diào)制信號(hào),高精度可達(dá)±0.3pm.25hz的快速而又確的測(cè)量,為您的光收發(fā)器研發(fā)和生產(chǎn)保駕護(hù)航。實(shí)惠的價(jià)格加上五年的質(zhì)保期,可確保您最低的擁有成本。
更新時(shí)間:2025-06-12
十萬瓦水冷熱電堆功率探頭
可以測(cè)量激光的功率,單發(fā)脈沖能量,可以測(cè)量激光光束位置和光斑尺寸。
更新時(shí)間:2025-06-12
MPRT面板運(yùn)動(dòng)圖像響應(yīng)時(shí)間測(cè)試系統(tǒng)
mprt(moving picture response time)運(yùn)動(dòng)圖像響應(yīng)時(shí)間測(cè)試是為平板顯示器、手機(jī)顯示屏、液晶顯示器等運(yùn)動(dòng)圖像模糊邊緣時(shí)間、模糊邊緣寬度的測(cè)量。系統(tǒng)檢測(cè)方式采用idms標(biāo)準(zhǔn)的c方法:相機(jī)線性追蹤.
更新時(shí)間:2025-06-12
ElFys 黑硅探測(cè)器
elfys的高性能四象限探測(cè)器是建立在公司在黑硅技術(shù)上的專業(yè)性。開創(chuàng)性的方法允許得到近乎理想的從uv到nir波段的外部量子效率,使其實(shí)際上每個(gè)入射光子都能被探測(cè)到并轉(zhuǎn)換為可測(cè)量的信號(hào)。
更新時(shí)間:2025-06-12
便攜式氣體探測(cè)器報(bào)警器
北京、沈陽、濟(jì)南、成都、西安、廣州、武漢、青島專區(qū)saf200型便攜式單一氣體探測(cè)器(以下簡稱探測(cè)器),是一種可連續(xù)檢測(cè)可燃?xì)怏w濃度或者有毒氣體濃度的本質(zhì)安全型設(shè)備。
更新時(shí)間:2025-06-12
氣體探測(cè)器;氣體報(bào)警器;氣體探頭;氣體變送器
氣體探測(cè)器;氣體報(bào)警器;氣體探頭;氣體變送器
更新時(shí)間:2025-06-12
氣體探測(cè)器報(bào)警器變送器探頭
氣體探測(cè)器報(bào)警器探頭
更新時(shí)間:2025-06-12
氣體探測(cè)器報(bào)警器探頭
北京、沈陽、濟(jì)南、成都、西安、廣州、武漢、青島專區(qū)氣體探測(cè)器報(bào)警器探頭
更新時(shí)間:2025-06-12
供應(yīng):`megafabs`mega-fabs` servo amplifier驅(qū)動(dòng)器md-36-s2 /→d1-36-s2
更新時(shí)間:2025-06-11
美國TAC STICK 漏電探測(cè)儀
美國tac stick 漏電探測(cè)儀品牌:willburt產(chǎn)品介紹tac stick 漏電探測(cè)儀該測(cè)試儀具有高感和低感兩種測(cè)試方式選擇。高感和低感可測(cè)試任何方向的交流電,高感設(shè)定用于遠(yuǎn)距離測(cè)量,低感設(shè)定用于近距離測(cè)量,兩種設(shè)定都能找到出現(xiàn)漏電的位置,可以在15尺內(nèi)測(cè)量到任何方向的漏電源頭。該棒長2
更新時(shí)間:2025-06-11
 超快亞太赫茲探測(cè)器 響應(yīng)時(shí)間1μs 光譜范圍50GHz-0.7THz
terasense的超快探測(cè)器ultrafast,通過直接觀察其脈沖響應(yīng)函數(shù)證實(shí)響應(yīng)時(shí)間小于150 ps。用廣譜范圍為0.1至3thz的,200nj、1ps的激光脈沖激發(fā)該探測(cè)器,其響應(yīng)由高速示波器記錄。響應(yīng)功能顯示了由示波器4 ghz帶寬限制的150 ps的上升和下降時(shí)間。測(cè)量的短響應(yīng)時(shí)間使得我們的探測(cè)器可以直接研究thz科學(xué)和電信中的快速瞬態(tài)過程。
更新時(shí)間:2025-06-10
堿液型高純度氫氣發(fā)生器
堿液型高純度氫氣發(fā)生器 堿液型高純度氫氣發(fā)生器 sph-2001. 體積小,結(jié)構(gòu)緊湊,重量輕,有效節(jié)省空間。
更新時(shí)間:2025-06-10
 1064nm四象限Si光電探測(cè)器 光敏面直徑16mm 直流響應(yīng)度0.3A/W
光敏面直徑 16mm;直流響應(yīng)度 0.3a/w; 光敏材料 si; 擊穿電壓 200v
更新時(shí)間:2025-06-10
 8mm 大光敏面硅Si硅光電探測(cè)器 響應(yīng)波段400-1100nm
8mm光敏面直徑,響應(yīng)波段:400-1100nm,si基材料 響應(yīng)速度:<25ns,to8封裝
更新時(shí)間:2025-06-10
 6mm 大光敏面硅Si光電探測(cè)器 響應(yīng)波段400-1100nm
6mm光敏面,響應(yīng)波段:400-1100nm,si基材料 響應(yīng)速度:<2ns,to8封裝
更新時(shí)間:2025-06-10
 法蘭式Si光電探測(cè)器 光敏面積4mm 響應(yīng)波段400-1100nm
4mm光敏面,法蘭式結(jié)構(gòu),響應(yīng)波段:400-1100nm,si基材料 響應(yīng)速度:<2ns,to8封裝
更新時(shí)間:2025-06-10
 法蘭式SI光電探測(cè)器 光敏面積200um 響應(yīng)波段400-1100nm
200um光敏面直徑,法蘭式結(jié)構(gòu),響應(yīng)波段:400-1100nm,si基材料 響應(yīng)速度:<2ns
更新時(shí)間:2025-06-10
 光纖耦合式Si光電探測(cè)器 光敏面直徑200um 響應(yīng)速度<2ns
200um光敏面直徑,單模光纖耦合,響應(yīng)波段:400-1100nm,si基材料 響應(yīng)速度:<2ns,fc/apc接頭
更新時(shí)間:2025-06-10
 2mm SI光電探測(cè)器 響應(yīng)波段400-1100nm 響應(yīng)速度<8ns
2mm直徑光敏面,響應(yīng)波段:400-1100nm,si基材料 響應(yīng)速度:<8ns,to5封裝
更新時(shí)間:2025-06-10
 硅Si放大型光電探測(cè)器 320-1100nm DC-200kHz
輸入電壓±9vdc, 100ma 探頭silicon pin 感光面3.6mm * 3.6mm 波長320-1100nm 峰值響應(yīng)0.6 a/w @960nm,1 mv/nw @960nm 飽和光功率6uw @960nm(hi-z) 帶寬dc - 200khz
更新時(shí)間:2025-06-10
 硅Si光電平衡探測(cè)器 400-1100nm 100MHz 響應(yīng)度0.55@850nm
工作波長400~1100nm 帶寬100mhz 探測(cè)器型號(hào): si硅 探測(cè)器響應(yīng)度 0.55@850nm
更新時(shí)間:2025-06-10
 砷化銦InAs光伏探測(cè)器 峰值波長3.35μm 光靈敏度1.0A/W
峰值波長λp:3.35μm 截止波長λc:3.65μm 光靈敏度:1.0a/w 峰值探測(cè)率d*:4.5 × 109(cm·hz1/2/w) nep:1.5 × 10-11(w/hz1/2) to-5封裝
更新時(shí)間:2025-06-10
 2-5.5μm 紅外兩TE冷卻InAs光浸式光伏探測(cè)器
響應(yīng)波長范圍 2-5.5μm;峰值波長 2.9μm;相對(duì)響應(yīng)強(qiáng)度 ≥5×10^11 cm∙hz^(1/2)/w@2.9μm;光敏面積 1×1mm^2
更新時(shí)間:2025-06-10
 Ge鍺光電二管探測(cè)器 800-1800nm 響應(yīng)度0.95A/W
響應(yīng)波長范圍 800-1800nm;響應(yīng)度 0.95 a/w;有效面積 10 mm x 10 mm;材料 ge
更新時(shí)間:2025-06-10
 銦鎵砷 InGaAs 光電探測(cè)器 帶寬>2GHz 有效面積直徑100um
材料:ingaas 上升/下降時(shí)間:<175ps/<175ps; 響應(yīng)度:0.9a/w@1300nm; 帶寬:>2ghz; 有效面積直徑:100um; 輸出連接:bnc
更新時(shí)間:2025-06-10
 銦鎵砷InGaAs高速光電探測(cè)器 >10GHz 輸出連接SMA
材料:ingaas 上升/下降時(shí)間:<28ps/<28ps; 響應(yīng)度:0.9a/w@2000nm; 帶寬:>10ghz; 有效面積直徑:40um; 輸出連接:sma 光纖連接,fc/upc
更新時(shí)間:2025-06-10
 EOT銦鎵砷InGaAs高速光電探測(cè)器 >22GHz FC/UPC SMF28e
材料:ingaas 上升/下降時(shí)間:<16ps/<16ps; 響應(yīng)度:0.7a/w@1300nm; 帶寬:>22ghz; 有效面積直徑:20um; 輸出連接:sma 光纖連接 fc/upc、smf28e
更新時(shí)間:2025-06-10
 銦鎵砷InGaAs高速光電探測(cè)器 >22GHz  輸出連接SMA
材料:ingaas 上升/下降時(shí)間:<16ps/<16ps; 響應(yīng)度:0.7a/w@1300nm; 帶寬:>22ghz; 有效面積直徑:20um; 輸出連接:sma 光纖連接 不適用
更新時(shí)間:2025-06-10

最新產(chǎn)品

熱門儀器: 液相色譜儀 氣相色譜儀 原子熒光光譜儀 可見分光光度計(jì) 液質(zhì)聯(lián)用儀 壓力試驗(yàn)機(jī) 酸度計(jì)(PH計(jì)) 離心機(jī) 高速離心機(jī) 冷凍離心機(jī) 生物顯微鏡 金相顯微鏡 標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì) 生物試劑