hse m200主要用于4/6/8英寸深硅干法刻蝕工藝?梢耘渲檬謩蛹白詣觽鬏斚到y(tǒng)。產(chǎn)品配置高密度雙立體等離子體源,中心邊緣進(jìn)氣,快速氣體切換,低頻脈沖下電系統(tǒng),可以實現(xiàn)高速、高深寬比、高均勻性及小的側(cè)壁粗糙度。hse p300主要用于12英寸硅刻蝕。采用cluster結(jié)構(gòu)布局,能夠減小占地,提升產(chǎn)能。系統(tǒng)主要由傳輸模塊、工藝模塊、灰區(qū)部件、電源柜等組成。可實現(xiàn)自動化地上下料及自動工藝。
更新時間:2025-09-09