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pcie2.0x8 眼圖測(cè)試 物理層一致性測(cè)試
pcie2.0x8 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試在個(gè)處理器系統(tǒng)中,般提供×16的pcie插槽,并使用petp0~15、petn0~15和perp0~15、pern0~15共64根信號(hào)線組成32對(duì)差分信號(hào),其中16對(duì)petxx信號(hào)用于發(fā)送鏈路,另外16對(duì)perxx信號(hào)用于接收鏈路。除此之外pcie總線還使用了下列輔助信號(hào)。
更新時(shí)間:2025-05-15
Pcie1.0x4 眼圖測(cè)試 物理層一致性測(cè)試
pcie1.0x4 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試日益降低的信號(hào)幅度必將帶來(lái)信噪比(snr)的挑戰(zhàn),也即隨著信號(hào)幅度越來(lái)越低,對(duì)整個(gè) 電路系統(tǒng)的噪聲要求也越來(lái)越嚴(yán)格。尤其是在近 3 年來(lái)越來(lái)越熱的pam 調(diào)制,比如廣泛用于 200g/400g 傳輸?shù)?pam-4 技術(shù),由于采用 4 電平調(diào)制,其對(duì)信噪比的要求比采用nrz 編碼的信噪比要高 9db.
更新時(shí)間:2025-05-15
Pcie1.0x8 眼圖測(cè)試 物理層一致性測(cè)試
pcie1.0x8 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試ci總線定義了兩類配置請(qǐng)求,個(gè)是type00h配置請(qǐng)求,另個(gè)是type 01h配置請(qǐng)求。
更新時(shí)間:2025-05-15
Pcie1.0x16 眼圖測(cè)試 物理層一致性測(cè)試
pcie1.0x16 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試電子產(chǎn)品發(fā)展到當(dāng)?shù)臅r(shí)代,工程界已經(jīng)積累了很多實(shí)踐經(jīng)驗(yàn),再搭上互聯(lián)網(wǎng)大力 發(fā)展的快車(chē),每位工程師都可以很輕松地從其他人的工程經(jīng)驗(yàn)分享中獲得很多有價(jià)值和 有助于自己設(shè)計(jì)的經(jīng)驗(yàn),但是經(jīng)驗(yàn)并不是金科玉律,也不是都適合工程師特殊的設(shè)計(jì)需求。
更新時(shí)間:2025-05-15
Pcie3.0x4 眼圖測(cè)試 物理層一致性測(cè)試
pcie3.0x4 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試下面是個(gè) ddr3 設(shè)計(jì)的實(shí)際案例。按照傳統(tǒng)的方式進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí),工程師會(huì)按照主芯片給的設(shè)計(jì)規(guī)范進(jìn)行設(shè)計(jì)。結(jié)合項(xiàng)目工程的需要,其 ddr3 的采用的是 t 型的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu), ecc 放置在如下圖 5 圓圈中所示位置。在生產(chǎn)完成后的調(diào)試過(guò)程中,發(fā)現(xiàn) ddr3 的信號(hào)出現(xiàn)非單調(diào)性。
更新時(shí)間:2025-05-15
Pcie3.0x8 眼圖測(cè)試 物理層一致性測(cè)試
pcie3.0x8 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試deviceid和vendor id寄存器這兩個(gè)寄存器的值由pcisig分配,只讀。其中vendor id代表pci設(shè)備的生產(chǎn)廠商,而device id代表這個(gè)廠商所生產(chǎn)的具體設(shè)備。如xilinx公司的k7,其vendor id為0x10ee,而device id為0x7028。
更新時(shí)間:2025-05-15
Pcie3.0x16 眼圖測(cè)試 物理層一致性測(cè)試
pcie3.0x16 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試獲得的信號(hào)波形沒(méi)有出現(xiàn)非單調(diào)的情況。按照以上設(shè)計(jì)改板后的測(cè)試結(jié)果與仿真 致。 如果不進(jìn)行仿真,那么只能在產(chǎn)品設(shè)計(jì)完成之后進(jìn)行測(cè)試才能發(fā)現(xiàn)問(wèn)題,如果要改善, 只能再改板調(diào)整,還可能出現(xiàn)改板很多次的情況,這樣就會(huì)延遲產(chǎn)品上市時(shí)間并增加物料成本。
更新時(shí)間:2025-05-15
EMMC 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試
emmc 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試emmc 芯片下方在敷銅時(shí),焊盤(pán)部分要增加敷銅禁布框,避免銅皮分布不均影響散熱,導(dǎo)致貼片虛焊。
更新時(shí)間:2025-05-15
EMMC 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試
emmc 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試電源紋波測(cè)試過(guò)大的問(wèn)題通常和使用的探頭以及端的連接方式有關(guān)。先檢查了用戶探頭的連接方式,發(fā)現(xiàn)其使用的是如下面左圖所示的長(zhǎng)的鱷魚(yú)夾地線,而且接地點(diǎn)夾在了單板的固定螺釘上,整個(gè)地環(huán)路比較大。由于大的地環(huán)路會(huì)引入更多的開(kāi)關(guān)電源造成的空間電磁輻射噪聲以及地環(huán)路噪聲,于是更換成如下面右圖所示的短的接地彈簧針。
更新時(shí)間:2025-05-15
EMMC 控制信號(hào)測(cè)試 控制信號(hào)過(guò)沖測(cè)試 控制信號(hào)高低電平測(cè)試
emmc 控制信號(hào)測(cè)試 控制信號(hào)過(guò)沖測(cè)試 控制信號(hào)高低電平測(cè)試
更新時(shí)間:2025-05-15
EMMC 復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試 DQS測(cè)試
emmc 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試這是個(gè)典型的電源紋波測(cè)試的問(wèn)題。我們通過(guò)使用短的地線連接、換用低衰減比的探頭以及帶寬限制功能使得紋波噪聲的測(cè)試結(jié)果大大改善。
更新時(shí)間:2025-05-15
EMMC4 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試
emmc4 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試實(shí)際上就是把電纜的頭接在示波器上,示波器設(shè)置為50歐姆輸入阻抗;電纜的另頭剝開(kāi),屏蔽層焊接在被測(cè)電路地上,中心導(dǎo)體通過(guò)個(gè)隔直電容連接被測(cè)的電源信號(hào)。這種方法的優(yōu)點(diǎn)是低成本,低衰減比,缺點(diǎn)是致性不好,隔直電容參數(shù)及帶寬不好控制。
更新時(shí)間:2025-05-15
Emmc5 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試
相關(guān)產(chǎn)品:emmc5 , 上電時(shí)序測(cè)試 , 電源紋波測(cè)試 , 時(shí)鐘測(cè)試 , 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試通俗的來(lái)說(shuō),emmc=nand閃存+閃存控制芯片+標(biāo)準(zhǔn)接口封裝。
更新時(shí)間:2025-05-15
EMMC4 復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試 DQS測(cè)試
emmc4 , 復(fù)位測(cè)試 , clk測(cè)試 , dqs測(cè)試emmc則在其內(nèi)部集成了 flash controller,包括了協(xié)議、擦寫(xiě)均衡、壞塊管理、ecc校驗(yàn)、電源管理、時(shí)鐘管理、數(shù)據(jù)存取等功能。
更新時(shí)間:2025-05-15
EMMC5 復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試 DQS測(cè)試
emmc5 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試包括card interface(cmd,data,clk)、memory core interface、總線接口控制(card interface controller)、電源控制、寄存器組。
更新時(shí)間:2025-05-15
EMMC5 復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試
emmc5 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試mmc通過(guò)發(fā)cmd的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)卡的初始化和數(shù)據(jù)訪問(wèn)。device identification mode包括3個(gè)階段idle state、ready state、identification state。
更新時(shí)間:2025-05-15
EMMC4 復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試 DQS測(cè)試 EMMC5 復(fù)位測(cè)試
emmc4 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試 emmc5 復(fù)位測(cè)試identification state,發(fā)送完 cid 后,emmc device就會(huì)進(jìn)入該階段。
更新時(shí)間:2025-05-15
電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 Emmc5 上電時(shí)序測(cè)試
相關(guān)產(chǎn)品:電源紋波測(cè)試 , 時(shí)鐘測(cè)試 , 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 , emmc5 , 上電時(shí)序測(cè)試
更新時(shí)間:2025-05-15
CLK測(cè)試 DQS測(cè)試 EMMC4 上電時(shí)序測(cè)試
相關(guān)產(chǎn)品:clk測(cè)試 , dqs測(cè)試 , emmc4 , 上電時(shí)序測(cè)試data strobe 時(shí)鐘信號(hào)由 emmc 發(fā)送給 host,頻率與 clk 信號(hào)相同,用于 host 端進(jìn)行數(shù)據(jù)接收的同步。data strobe 信號(hào)只能在 hs400 模式下配置啟用,啟用后可以提高數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆(wěn)定性,省去總線 tuning 過(guò)程。
更新時(shí)間:2025-05-15
CLK測(cè)試 DQS測(cè)試 EMMC4 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試
相關(guān)產(chǎn)品:clk測(cè)試 , dqs測(cè)試 , emmc4 , 上電時(shí)序測(cè)試 , 電源紋波測(cè)試
更新時(shí)間:2025-05-15
電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 EMMC4 復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試 DQS測(cè)試
電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc4 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試
更新時(shí)間:2025-05-15
控制信號(hào)測(cè)試 控制信號(hào)過(guò)沖測(cè)試 控制信號(hào)高低電平測(cè)試 EMMC 復(fù)位測(cè)試
數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc5 上電時(shí)序測(cè)試start bit 與 command 樣,固定為 "0",在沒(méi)有數(shù)據(jù)傳輸?shù)那闆r下,cmd 信號(hào)保持高電平,當(dāng) emmcdevice 將 start bit 發(fā)送到總線上時(shí),host 可以很方便檢測(cè)到該信號(hào),并開(kāi)始接收 response。
更新時(shí)間:2025-05-15
數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 Emmc5 上電時(shí)序測(cè)試
數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc5 上電時(shí)序測(cè)試start bit 與 command 樣,固定為 "0",在沒(méi)有數(shù)據(jù)傳輸?shù)那闆r下,cmd 信號(hào)保持高電平,當(dāng) emmcdevice 將 start bit 發(fā)送到總線上時(shí),host 可以很方便檢測(cè)到該信號(hào),并開(kāi)始接收 response。
更新時(shí)間:2025-05-15
CLK測(cè)試 DQS測(cè)試  EMMC4 上電時(shí)序測(cè)試,眼圖測(cè)試
clk測(cè)試 dqs測(cè)試 emmc4 上電時(shí)序測(cè)試,眼圖測(cè)試crc 為 data 的 16 bit crc 校驗(yàn)值,不包含 start bit。各個(gè) data line 上的 crc 為對(duì)應(yīng) data line 的 data 的 16 bit crc 校驗(yàn)值。
更新時(shí)間:2025-05-15
數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 EMMC4 復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試 DQS測(cè)試
數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc4 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試在 ddr 模式下,data line 在時(shí)鐘的上升沿和下降沿都會(huì)傳輸數(shù)據(jù),其中上升沿傳輸數(shù)據(jù)的奇數(shù)字節(jié) (byte 1,3,5...),下降沿則傳輸數(shù)據(jù)的偶數(shù)字節(jié)(byte 2,4,6 ...)。
更新時(shí)間:2025-05-15
復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試 DQS測(cè)試 EMMC4 上電時(shí)序測(cè)試
復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試 emmc4 上電時(shí)序測(cè)試當(dāng) emmc device 處于 sdr 模式時(shí),host 可以發(fā)送 cmd19 命令,觸發(fā)總線測(cè)試過(guò)程(bus testing procedure),測(cè)試總線硬件上的連通性。
更新時(shí)間:2025-05-15
泰克tektronix 以太網(wǎng)一致性測(cè)試夾具
泰克tektronix 以太網(wǎng)一致性測(cè)試夾具 泰克tektronix 以太網(wǎng)一致性測(cè)試夾具,硬件測(cè)試,ddr測(cè)試,時(shí)序測(cè)試,紋波測(cè)試,抖動(dòng)測(cè)試
更新時(shí)間:2025-05-15
MIPI傳輸過(guò)程中的信號(hào)質(zhì)量問(wèn)題
mipi傳輸過(guò)程中的信號(hào)質(zhì)量問(wèn)題mipi是2003年由arm,nokia,st,it等公司成立的個(gè)聯(lián)盟,旨在把手機(jī)內(nèi)部的接口如存儲(chǔ)接口,顯示接口,射頻/基帶接口等標(biāo)準(zhǔn)化,減少兼容性問(wèn)題并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。
更新時(shí)間:2025-05-15
MIPI接口屏閃屏的分析及解決方法 眼圖測(cè)試
mipi接口屏閃屏的分析及解決方法 眼圖測(cè)試基于示波器的當(dāng)抖動(dòng)測(cè)量工具在條通道上只提供個(gè)眼圖。在通用測(cè)量中,這些工具只有6-8個(gè)測(cè)量項(xiàng)目。dpojet全面支持所有通道,包括同時(shí)測(cè)量每條通道的眼圖。
更新時(shí)間:2025-05-15
MIPI接口屏閃屏的分析及解決方法 眼圖測(cè)試 MIPI傳輸過(guò)程中的信號(hào)質(zhì)量問(wèn)題 MIPI驅(qū)動(dòng)問(wèn)題 重起問(wèn)題
mipi接口屏閃屏的分析及解決方法 眼圖測(cè)試 mipi傳輸過(guò)程中的信號(hào)質(zhì)量問(wèn)題 mipi驅(qū)動(dòng)問(wèn)題 重起問(wèn)題
更新時(shí)間:2025-05-15
硬件工程師調(diào)試MIPI屏經(jīng)驗(yàn) MIPI 接口的sensor問(wèn)題 MIPI接口的DSI的驅(qū)動(dòng)問(wèn)題
硬件工程師調(diào)試mipi屏經(jīng)驗(yàn) mipi 接口的sensor問(wèn)題 mipi接口的dsi的驅(qū)動(dòng)問(wèn)題
更新時(shí)間:2025-05-15
MIPI LCD接口 MIPI主板 MIPI故障分析與解決 MIPI調(diào)試經(jīng)驗(yàn) MIPI硬件開(kāi)發(fā) MIPI驅(qū)動(dòng)
mipi lcd接口 mipi主板 mipi故障分析與解決 mipi調(diào)試經(jīng)驗(yàn) mipi硬件開(kāi)發(fā) mipi驅(qū)動(dòng)
更新時(shí)間:2025-05-15
MIPI調(diào)試經(jīng)驗(yàn) MIPI硬件開(kāi)發(fā) MIPI驅(qū)動(dòng) 硬件工程師調(diào)試MIPI屏經(jīng)驗(yàn)
mipi調(diào)試經(jīng)驗(yàn) mipi硬件開(kāi)發(fā) mipi驅(qū)動(dòng) 硬件工程師調(diào)試mipi屏經(jīng)驗(yàn)
更新時(shí)間:2025-05-15
MIPI調(diào)試經(jīng)驗(yàn) MIPI硬件開(kāi)發(fā) MIPI驅(qū)動(dòng) 硬件工程師調(diào)試MIPI屏經(jīng)驗(yàn) MIPI 接口的sensor問(wèn)題
mipi調(diào)試經(jīng)驗(yàn) mipi硬件開(kāi)發(fā) mipi驅(qū)動(dòng) 硬件工程師調(diào)試mipi屏經(jīng)驗(yàn) mipi 接口的sensor問(wèn)題
更新時(shí)間:2025-05-15
MIPI攝像頭 MIPI眼圖測(cè)試 MIPI LCD接口 MIPI主板 MIPI故障分析與解決
mipi攝像頭 mipi眼圖測(cè)試 mipi lcd接口 mipi主板 mipi故障分析與解決從軟件層面,再回顧下數(shù)據(jù)格式,加深在數(shù)據(jù)線上有3 種可能的操作模式:escape mode, high-speed (burst) mode and control mode,下面是從停止?fàn)顟B(tài)進(jìn)入相應(yīng)模式需要的時(shí)序:
更新時(shí)間:2025-05-15
JUKI飛達(dá)校正儀貼片機(jī)飛達(dá)校正儀 氣動(dòng)飛達(dá)校正儀/SMT飛達(dá)顯示器
商品名稱:juki feeder校正儀商品品牌:鑫鴻基/xhj商品產(chǎn)地:深圳商品尺寸(mm):l500*w350*h500商品重量:約35kg適用機(jī)型:juki系列機(jī)型
更新時(shí)間:2025-05-15
土工布透水性測(cè)定儀 土工布透水性
運(yùn)用jigaotest系統(tǒng)設(shè)計(jì)研發(fā)的一款用來(lái)檢測(cè)土工合成材料及相關(guān)復(fù)合材料在垂直方向水流透過(guò)率的測(cè)試設(shè)備!⊥凉げ纪杆詼y(cè)定儀 土工布透水性
更新時(shí)間:2025-05-15
大體積混凝土溫度測(cè)試儀
大體積混凝土溫度測(cè)試儀,該儀器可實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)大體積混凝土凝固過(guò)程中因釋放水化熱引起的混凝土內(nèi)部的溫升,從而可及時(shí)做出應(yīng)對(duì)策略,避免混凝土因溫升造成的開(kāi)裂等嚴(yán)重后果。此儀器系統(tǒng)主要適用于鐵路、水利、電力、市政、建筑等領(lǐng)域;可對(duì)混凝土內(nèi)部溫度進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè),并可通過(guò)無(wú)線網(wǎng)絡(luò)與計(jì)算機(jī)進(jìn)行通信,實(shí)現(xiàn)了真正意義上的遠(yuǎn)程監(jiān)控。
更新時(shí)間:2025-05-15
出租Tektronix USB2.0測(cè)試夾具
出租tektronix usb2.0測(cè)試夾具
更新時(shí)間:2025-05-15
 保溫砂漿拉力機(jī),砂漿拉力機(jī)簡(jiǎn)介,
  本試驗(yàn)機(jī)適用于測(cè)定各種保溫砂漿的粘結(jié)強(qiáng)度,也可用于符合本試驗(yàn)機(jī)條件的其它試驗(yàn)。液晶顯示、可與微機(jī)連接實(shí)現(xiàn)微機(jī)控制。具有造型美觀,設(shè)計(jì)合理,性能穩(wěn)定,結(jié)構(gòu)緊湊操作方便優(yōu)點(diǎn)。
更新時(shí)間:2025-05-15
CMT微機(jī)控制電子多功能試驗(yàn)機(jī),電子多功能試驗(yàn)機(jī)說(shuō)明書(shū),
主要用于各種保溫材料及金屬、非金屬材料的拉伸、壓縮、彎曲強(qiáng)度等力學(xué)性能測(cè)試和分析研究?勺詣(dòng)求取reh、rel、rp0.2、fm、rt0.5 、rt0.6、rt0.65、rt0.7、rm、e等試驗(yàn)參數(shù),并可根據(jù)gb、iso、din、astm、jis等國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行試驗(yàn)和提供數(shù)據(jù)。
更新時(shí)間:2025-05-15
LSY-1瀝青混凝土斜坡流淌值試驗(yàn)儀,混凝土斜坡流暢試驗(yàn)儀功能,
一、 適用范圍:用于測(cè)定瀝青混凝土斜坡流淌值。符合dl/t5362-2006水工瀝青混凝土試驗(yàn)規(guī)程。適用于骨料最大粒徑不大于26.5mm室內(nèi)成型的試件和現(xiàn)場(chǎng)鉆取的芯樣。二、儀器的組成:
更新時(shí)間:2025-05-15
電子多功能試驗(yàn)機(jī)、土工布綜合強(qiáng)力試驗(yàn)機(jī),土工綜合強(qiáng)力試驗(yàn)儀
主要用于各種土工合成材料及金屬、非金屬材料的拉伸、壓縮、彎曲等力學(xué)性能測(cè)試和分析研究?勺詣(dòng)求取reh、rel、rp0.2、fm、rt0.5 、rt0.6、rt0.65、rt0.7、rm、e等試驗(yàn)參數(shù),并可根據(jù)gb、iso、din、astm、jis等國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行試驗(yàn)和提供數(shù)據(jù)。
更新時(shí)間:2025-05-15
炭黑含量測(cè)定儀,黑含量測(cè)定儀參數(shù),
依據(jù)jtge50-2006公路土工合成材料試驗(yàn)規(guī)程設(shè)計(jì)制造、適用于聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯塑料中炭黑含量的測(cè)定。
更新時(shí)間:2025-05-15
土工合成材料垂直滲透儀,土工垂直滲透儀功能,合成材料滲透儀,
依據(jù)sl235-2012土工合成材料垂直滲透系數(shù)標(biāo)準(zhǔn)研發(fā)設(shè)計(jì)。適用于各類土工材料垂直滲透的測(cè)量,性能穩(wěn)定,方便實(shí)用
更新時(shí)間:2025-05-15
土工布CBR頂破試驗(yàn)儀,CBR頂破試驗(yàn)儀,
適用于土工布,土工膜,復(fù)合土工膜,鋼塑格柵,塑料格柵,防排水板,膨潤(rùn)土防水毯等土工合成材料各種強(qiáng)力強(qiáng)度的測(cè)試. 具有液晶顯示、操作簡(jiǎn)便等優(yōu)點(diǎn)。
更新時(shí)間:2025-05-15
TSY-35塑料薄膜和薄片測(cè)厚儀,塑料薄膜測(cè)定儀參數(shù),
薄膜測(cè)厚儀適用于塑料薄膜、薄片的厚度測(cè)試,還可適用于紙張、紙板的厚度測(cè)試、箔片、硅片、金屬片的厚度測(cè)、試紡織材料的厚度測(cè)試、固體電絕緣體的厚度測(cè)試。
更新時(shí)間:2025-05-15
土工膜脹破強(qiáng)度測(cè)定儀,土工膜破強(qiáng),度測(cè)定儀
依據(jù)sl/t235-2012土工合成材料測(cè)試規(guī)程土工膜漲破強(qiáng)度的試驗(yàn)方法標(biāo)準(zhǔn)研發(fā)設(shè)計(jì)。適用于各類土工膜漲破強(qiáng)度的測(cè)量,性能穩(wěn)定,方便使用。技術(shù)參數(shù):
更新時(shí)間:2025-05-15
糙面土工膜毛糙高度測(cè)定儀,土工膜測(cè)定儀參數(shù),
依據(jù)gb/t17643-2001標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)制造,主要適用于糙面土工膜及其相關(guān)產(chǎn)品的厚度測(cè)量,具有使用方便,測(cè)量精度高等優(yōu)點(diǎn)。
更新時(shí)間:2025-05-15
TSY-33糙面土工膜毛糙高度測(cè)定儀,土工膜高度測(cè)定儀現(xiàn)貨,
依據(jù)gb/t17643-2001標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)制造,主要適用于糙面土工膜及其相關(guān)產(chǎn)品的厚度測(cè)量,具有使用方便,測(cè)量精度高等優(yōu)點(diǎn)
更新時(shí)間:2025-05-15

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