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其他產(chǎn)品及廠(chǎng)家

耐電痕試驗(yàn)儀
hcld-3系列高壓耐漏電起痕試驗(yàn)儀采用西門(mén)子plc作為主控制系統(tǒng),配合高精度電壓、電流傳感器、高壓真空斷路開(kāi)關(guān)、高壓交直流變壓器元件構(gòu)成。高壓耐漏電起痕試驗(yàn)是在工頻下,用液體污染和傾斜試樣評(píng)定在嚴(yán)酷環(huán)境條件下使用的電氣絕緣材料耐漏電起痕和耐電蝕損性能。其評(píng)定的方法有兩種,即恒定漏電起痕電壓法和逐升壓漏電起痕電壓法。試驗(yàn)中可采用兩種終點(diǎn)判斷法來(lái)確定試驗(yàn)終點(diǎn)。方法a是當(dāng)高壓回路中通過(guò)的電流達(dá)到或超
更新時(shí)間:2025-06-27
高溫介電溫譜測(cè)量系統(tǒng)
高溫介電溫譜測(cè)試系統(tǒng)運(yùn)用三電法設(shè)計(jì)原理測(cè)量。并參考美國(guó) a.s.t.m 標(biāo)準(zhǔn)。重復(fù)性與穩(wěn)定性更好,采用雙屏蔽高頻測(cè)試線(xiàn)纜,提高測(cè)試參數(shù)的精確度,同時(shí)抗干擾能力更強(qiáng)。本設(shè)備也可應(yīng)用于產(chǎn)品檢測(cè)以及新材料電學(xué)性能研究等用途。搭配labview系統(tǒng)開(kāi)發(fā)的huacepro軟件,具備彈性的自定義功能,可進(jìn)行介電溫譜、頻譜、升溫速度、測(cè)量參數(shù)等設(shè)置,符合壓電陶瓷與其它新材料測(cè)試多樣化的需求。電壓、過(guò)電
更新時(shí)間:2025-06-27
電子式聽(tīng)漏棒
揚(yáng)州捷通供水技術(shù)設(shè)備有限公司生產(chǎn)的jt-tld電子式聽(tīng)漏棒實(shí)質(zhì)上是個(gè)精簡(jiǎn)化的電子放大式聽(tīng)漏儀。它的方便、可靠性建立在先進(jìn)的集成性上。
更新時(shí)間:2025-06-27
合金鋼化驗(yàn)儀器,合金鋼成分分析儀
gq-hw2a電弧紅外碳硫分析儀: 主要技術(shù)指標(biāo):*測(cè)量范圍:碳(c)0.001%~10.000%(可擴(kuò)至99.999%) 硫(s)0.0005%~0.5000%(可擴(kuò)至99.999%) *分析時(shí)間:25~60s可調(diào),一般35s*分析誤差:碳優(yōu)于gb/223.69-1997標(biāo)準(zhǔn) 硫優(yōu)于gb/t223.68-1997標(biāo)準(zhǔn) *燃燒功率:小于2.5kva; *工作原理:電弧燃燒,紅外檢測(cè)
更新時(shí)間:2025-06-27
流動(dòng)測(cè)震儀
bc302流動(dòng)測(cè)震儀;軸承狀態(tài)分析和紅外線(xiàn)溫度是基于微處理器的手持式機(jī)器狀態(tài)檢測(cè)儀器,具有振動(dòng)測(cè)量和評(píng)價(jià)、軸承狀態(tài)檢測(cè)和評(píng)價(jià)功能。流動(dòng)測(cè)震儀振動(dòng)檢測(cè)、軸承狀態(tài)分析和紅外線(xiàn)溫度測(cè)量,測(cè)量準(zhǔn)確測(cè)量速度≥1.5m/s,存 儲(chǔ)溫度-10℃~60℃, 用于振動(dòng)檢測(cè)、軸承狀態(tài)分析和紅外線(xiàn)溫度測(cè)量,應(yīng)急救災(zāi)地完整配置.
更新時(shí)間:2025-06-27
金屬導(dǎo)體電阻率測(cè)試儀
加工定制:是類(lèi)型:指針式電阻測(cè)量?jī)x表品牌:yaos堯順型號(hào):dx200ghd測(cè)量范圍:10-5--105ω(mω)電 源:220±10%測(cè)試電壓:2 mv、20 mv、200 mv、2v(v)精度:0.1%重量:8.5(kg)尺 寸:345mm*480mm*145mm規(guī)格:φ30x180
更新時(shí)間:2025-06-27
漏水探測(cè)儀高靈敏智能型
jt-1a漏水探測(cè)儀高靈敏智能型采用微處理數(shù)化線(xiàn)路,高保真高降噪信號(hào)顯示,耳感逼真,清晰度高,高靈敏度傳感器,大容量充電鋰電池,輕量微型化機(jī)身。
更新時(shí)間:2025-06-27
漏水探測(cè)儀數(shù)字濾波型
jt-5000漏水探測(cè)儀數(shù)字濾波型采用微處理器數(shù)字化處理線(xiàn)路,,在復(fù)雜的環(huán)境中亦可探測(cè)漏水,大屏液晶,小值顯示,實(shí)時(shí)漏水靈音,高靈敏主動(dòng)式傳感器,光電無(wú)觸點(diǎn)手柄開(kāi)關(guān),大容量鋰離子充電電池。
更新時(shí)間:2025-06-27
手持式地下管道漏水檢測(cè)儀
jt-sc01手持式地下管道漏水檢測(cè)儀小巧便攜,手持即可檢測(cè),可檢測(cè)各種類(lèi)型水、油、氣等壓力管道的泄漏,包括鋼、鑄鐵、pvc、水泥管及石棉管等。
更新時(shí)間:2025-06-27
管道泄漏檢測(cè)儀/漏水檢測(cè)儀/測(cè)漏儀/漏水探測(cè)儀
jt-3ax管道泄漏檢測(cè)儀采用了雙模傳感技術(shù)、現(xiàn)代音頻信號(hào)處理技術(shù)、嵌入式微處理器技術(shù)、智能數(shù)據(jù)分析及輔助圖形技術(shù)等當(dāng)先進(jìn)技術(shù),其聽(tīng)音效果清晰、適合復(fù)雜工況場(chǎng)合、智能化數(shù)據(jù)分析、可靠穩(wěn)定,是款有效巡檢管道和定位泄漏的先進(jìn)測(cè)漏儀器。jt-3ax通過(guò)傳感器拾取地下壓力管道破損泄漏產(chǎn)生的振動(dòng)信號(hào)來(lái)準(zhǔn)確定位泄漏點(diǎn)的位置。
更新時(shí)間:2025-06-27
供應(yīng)智能型地下管線(xiàn)泄漏探測(cè)儀/管道漏水檢測(cè)儀/測(cè)漏儀/檢漏儀/查漏儀/聽(tīng)漏儀
jt-1a地下管道泄漏檢測(cè)儀,是款性能其優(yōu)異的壓力管道泄漏檢測(cè)儀器,擁有超強(qiáng)的抗干擾與數(shù)據(jù)處理能力,輸出泄漏信號(hào)清晰靈敏,操作界面目了然,可以使您的工作更加輕松,它具有以下主要特點(diǎn):微處理器數(shù)字經(jīng)線(xiàn)路,高保真高降噪信號(hào)顯示,耳感逼真,清晰度高,高靈敏度傳感器,大容量充電鋰電池,輕量微型化機(jī)身。
更新時(shí)間:2025-06-27
供應(yīng)地下管道泄漏檢測(cè)儀/手持式管道漏水檢測(cè)儀/手持式管道測(cè)漏儀/檢漏儀/查漏儀/聽(tīng)漏儀
jt-sc01型手持式智能數(shù)字式泄漏檢測(cè)儀特點(diǎn)是小巧便攜,手持即可檢測(cè)。其原理是各類(lèi)水油氣等帶壓管道當(dāng)某處破損泄漏時(shí),壓力水油氣從管道破損處向處噴射,與管道破裂縫隙間的摩擦而產(chǎn)生振動(dòng)會(huì)引起噴注噪聲,這種聲音隨管道向兩側(cè)和埋設(shè)地面上方路面?zhèn)鞑?,此時(shí)用jt-sc01型泄漏檢測(cè)儀的傳感器在路面上方檢測(cè)這種微弱泄漏信號(hào),通過(guò)主機(jī)進(jìn)行放大顯示,并有選擇的過(guò)濾噪音,獨(dú)立出泄漏聲波,使操作者找到泄漏源
更新時(shí)間:2025-06-27
供應(yīng)數(shù)字濾波漏水檢測(cè)儀/測(cè)漏儀/檢漏儀/聽(tīng)漏儀/查漏儀
jt-5000智能型數(shù)字濾波管道漏水檢測(cè)儀采用微處理器數(shù)字化處理線(xiàn)路,在復(fù)雜的環(huán)境中亦可探測(cè)漏水,大屏液晶,小值顯示,實(shí)時(shí)漏水錄音,高靈敏主動(dòng)式傳感器,光電無(wú)觸點(diǎn)手柄開(kāi)關(guān),大容量鋰離子充電電池。
更新時(shí)間:2025-06-27
供應(yīng)管道測(cè)漏儀/漏水檢測(cè)儀/數(shù)字式漏水檢測(cè)儀/檢漏儀/查漏儀/聽(tīng)漏儀
jt-3000漏水檢測(cè)儀是用于尋找并確定供水管道漏位置的用儀器,也可用于其它壓力管道系統(tǒng)的檢漏,當(dāng)管道內(nèi)流體在壓力下逸出時(shí),產(chǎn)生噪音能沿管道傳播,或沿埋層介質(zhì)傳播到地面,檢漏儀jt-3000能沿管線(xiàn)或其路面上方確定漏點(diǎn)位置。
更新時(shí)間:2025-06-27
供應(yīng)管道漏水檢測(cè)儀/自來(lái)水管道漏水檢測(cè)儀/測(cè)漏儀/檢漏儀/查漏儀/聽(tīng)漏儀
jt-2000型漏水檢測(cè)儀為袖珍便攜式漏水檢測(cè)儀,主機(jī)體積只有150mm×70mm×116mm大小,重約870克,攜帶操作為輕巧簡(jiǎn)便,整體設(shè)計(jì)采用全金屬外殼,堅(jiān)固耐用。
更新時(shí)間:2025-06-27
超聲波測(cè)厚儀
超聲波測(cè)厚儀是科電儀器基于安卓系統(tǒng)研發(fā)的智能測(cè)厚終端。本儀器具備無(wú)線(xiàn)通信功能;可實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程交互和云檢測(cè),儀器內(nèi)置“科信”云平臺(tái)可以把測(cè)量的數(shù)據(jù)/視頻分享給科信工友,實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程實(shí)時(shí)協(xié)同作業(yè),機(jī)殼采用防水、防塵、防摔的設(shè)計(jì)可以適應(yīng)各種復(fù)雜的工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)。
更新時(shí)間:2025-06-27
分體式單探頭涂層測(cè)厚儀
涂(鍍)層測(cè)厚儀是一款基于安卓系統(tǒng)的智能涂(鍍)層厚度檢測(cè)終端。本儀器具備無(wú)線(xiàn)通信功能,可以實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程音頻、視頻數(shù)據(jù)的交互;本儀器可以實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)專(zhuān)家診斷、遠(yuǎn)程數(shù)據(jù)檢測(cè)等功能;本儀器機(jī)殼防護(hù)采用了防水、防塵、防摔的三防設(shè)計(jì),可以適應(yīng)復(fù)雜的工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)。
更新時(shí)間:2025-06-27
黑白透射密度計(jì)
kodin-h600a配備了進(jìn)口光電傳感器的便攜式黑白透射密度計(jì)。該款密度計(jì)內(nèi)部配有大容量li-ion鋰離子電池。充滿(mǎn)一次電,在打開(kāi)觀(guān)片區(qū)光源時(shí)可供連續(xù)工作4小時(shí)以上,在關(guān)閉觀(guān)片區(qū)光源時(shí)可連續(xù)工作24小時(shí)以上。該款密度計(jì)是科電公司通過(guò)大量試驗(yàn),研制的一款高精密儀器。該款密度計(jì)具有體積小、重量輕、操作簡(jiǎn)單、攜帶方便、測(cè)量準(zhǔn)確度高、長(zhǎng)期穩(wěn)定性好等特點(diǎn)。
更新時(shí)間:2025-06-27
LED工業(yè)射線(xiàn)底片觀(guān)片燈
kodin g2000c型 led工業(yè)射線(xiàn)底片觀(guān)片燈適用于工業(yè)射線(xiàn)照相底片的觀(guān)察。
更新時(shí)間:2025-06-27
JUKI飛達(dá)校正儀貼片機(jī)飛達(dá)校正儀 氣動(dòng)飛達(dá)校正儀/SMT飛達(dá)顯示器
商品名稱(chēng):juki feeder校正儀商品品牌:鑫鴻基/xhj商品產(chǎn)地:深圳商品尺寸(mm):l500*w350*h500商品重量:約35kg適用機(jī)型:juki系列機(jī)型
更新時(shí)間:2025-06-27
泰克tektronix 以太網(wǎng)一致性測(cè)試夾具
泰克tektronix 以太網(wǎng)一致性測(cè)試夾具 泰克tektronix 以太網(wǎng)一致性測(cè)試夾具,硬件測(cè)試,ddr測(cè)試,時(shí)序測(cè)試,紋波測(cè)試,抖動(dòng)測(cè)試
更新時(shí)間:2025-06-27
ETS-LINDGREN近場(chǎng)探頭,硬件測(cè)試,開(kāi)放實(shí)驗(yàn)室,DDR測(cè)試,時(shí)序測(cè)試,紋波測(cè)試,抖動(dòng)測(cè)試
misenbo 硬件開(kāi)放實(shí)驗(yàn)室 開(kāi)放實(shí)驗(yàn)室 硬件實(shí)驗(yàn)室 ets-lindgren 7405近場(chǎng)探頭 儀器資訊
更新時(shí)間:2025-06-27
Nemtest dito靜電放電模擬器,硬件測(cè)試,開(kāi)放實(shí)驗(yàn)室,DDR測(cè)試,時(shí)序測(cè)試,紋波測(cè)試,抖動(dòng)測(cè)試
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更新時(shí)間:2025-06-27
PCIE2.0 3.0 驗(yàn)證 調(diào)試和一致性測(cè)試解決方案
遇到的問(wèn)題pcie link不穩(wěn)定配置空間讀寫(xiě)正常,memory mapping空間讀寫(xiě)異常
更新時(shí)間:2025-06-27
PCIE2.0 3.0 物理層一致性測(cè)試
cie2.0 3.0 物理層致性測(cè)試pcie總線(xiàn)與pci總線(xiàn)不同,pcie總線(xiàn)使用端到端的連接方式,在條pcie鏈路的兩端只能各連接個(gè)設(shè)備,這兩個(gè)設(shè)備互為是數(shù)據(jù)發(fā)送端和數(shù)據(jù)接收端。pcie鏈路可以由多條lane組成,目pcie鏈路×1、×2、×4、×8、×16和×32寬度的pcie鏈路,還有幾乎不使用的×12鏈路。
更新時(shí)間:2025-06-27
PCIE2.0 3.0 TX 發(fā)送 物理層一致性測(cè)試
pcie總線(xiàn)的層次組成結(jié)構(gòu)與網(wǎng)絡(luò)中的層次結(jié)構(gòu)有類(lèi)似之處,但是pcie總線(xiàn)的各個(gè)層次都是使用硬件邏輯實(shí)現(xiàn)的。在pcie體系結(jié)構(gòu)中,數(shù)據(jù)報(bào)文先在設(shè)備的核心層(device core)中產(chǎn)生,然后再經(jīng)過(guò)該設(shè)備的事務(wù)層(transactionlayer)、數(shù)據(jù)鏈路層(data link layer)和物理層(physical layer),終發(fā)送出去。
更新時(shí)間:2025-06-27
PCIE2.0 3.0 RX 接收 物理層一致性測(cè)試
pcie2.0 3.0 rx 接收 物理層致性測(cè)試當(dāng)pcie設(shè)備進(jìn)入休眠狀態(tài),主電源已經(jīng)停止供電時(shí),pcie設(shè)備使用該信號(hào)向處理器系統(tǒng)提交喚醒請(qǐng)求,使處理器系統(tǒng)重新為該pcie設(shè)備提供主電源vcc。
更新時(shí)間:2025-06-27
PCIE Gen2/Gen3/Gen4 發(fā)送端 信號(hào)質(zhì)量一致性測(cè)試
pcie 初始化完成后會(huì)進(jìn)入l0狀態(tài)。異常狀態(tài)見(jiàn)pcie link 異常log。物理層link 不穩(wěn)定,懷疑以下原因:- 高速串行信號(hào)質(zhì)量問(wèn)題- serdes電源問(wèn)題- 時(shí)鐘問(wèn)題
更新時(shí)間:2025-06-27
pcie2.0x4 眼圖測(cè)試 物理層一致性測(cè)試
pcie2.0x4 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試集成電路的發(fā)明是人類(lèi)歷史上的大創(chuàng)舉,它大地推動(dòng)了人類(lèi)的現(xiàn)代文明進(jìn)程,在天無(wú)時(shí)無(wú)刻不在影響著我們的生活。進(jìn)入 21 世紀(jì)以來(lái),集成電路的發(fā)展則更是狂飆猛進(jìn)。天的大規(guī)模集成電路生產(chǎn)和制造工藝已經(jīng)達(dá)到 10 nm 量產(chǎn)水平,更高的集成度意味著同等體積下提供了更高的性能,當(dāng)然對(duì)業(yè)內(nèi)從業(yè)者來(lái)說(shuō)遇到的挑戰(zhàn)和問(wèn)題也就越來(lái)越嚴(yán)峻。
更新時(shí)間:2025-06-27
pcie2.0x8 眼圖測(cè)試 物理層一致性測(cè)試
pcie2.0x8 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試在個(gè)處理器系統(tǒng)中,般提供×16的pcie插槽,并使用petp0~15、petn0~15和perp0~15、pern0~15共64根信號(hào)線(xiàn)組成32對(duì)差分信號(hào),其中16對(duì)petxx信號(hào)用于發(fā)送鏈路,另外16對(duì)perxx信號(hào)用于接收鏈路。除此之外pcie總線(xiàn)還使用了下列輔助信號(hào)。
更新時(shí)間:2025-06-27
Pcie1.0x4 眼圖測(cè)試 物理層一致性測(cè)試
pcie1.0x4 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試日益降低的信號(hào)幅度必將帶來(lái)信噪比(snr)的挑戰(zhàn),也即隨著信號(hào)幅度越來(lái)越低,對(duì)整個(gè) 電路系統(tǒng)的噪聲要求也越來(lái)越嚴(yán)格。尤其是在近 3 年來(lái)越來(lái)越熱的pam 調(diào)制,比如廣泛用于 200g/400g 傳輸?shù)?pam-4 技術(shù),由于采用 4 電平調(diào)制,其對(duì)信噪比的要求比采用nrz 編碼的信噪比要高 9db.
更新時(shí)間:2025-06-27
Pcie1.0x8 眼圖測(cè)試 物理層一致性測(cè)試
pcie1.0x8 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試ci總線(xiàn)定義了兩類(lèi)配置請(qǐng)求,個(gè)是type00h配置請(qǐng)求,另個(gè)是type 01h配置請(qǐng)求。
更新時(shí)間:2025-06-27
Pcie1.0x16 眼圖測(cè)試 物理層一致性測(cè)試
pcie1.0x16 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試電子產(chǎn)品發(fā)展到當(dāng)?shù)臅r(shí)代,工程界已經(jīng)積累了很多實(shí)踐經(jīng)驗(yàn),再搭上互聯(lián)網(wǎng)大力 發(fā)展的快車(chē),每位工程師都可以很輕松地從其他人的工程經(jīng)驗(yàn)分享中獲得很多有價(jià)值和 有助于自己設(shè)計(jì)的經(jīng)驗(yàn),但是經(jīng)驗(yàn)并不是金科玉律,也不是都適合工程師特殊的設(shè)計(jì)需求。
更新時(shí)間:2025-06-27
Pcie3.0x4 眼圖測(cè)試 物理層一致性測(cè)試
pcie3.0x4 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試下面是個(gè) ddr3 設(shè)計(jì)的實(shí)際案例。按照傳統(tǒng)的方式進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí),工程師會(huì)按照主芯片給的設(shè)計(jì)規(guī)范進(jìn)行設(shè)計(jì)。結(jié)合項(xiàng)目工程的需要,其 ddr3 的采用的是 t 型的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu), ecc 放置在如下圖 5 圓圈中所示位置。在生產(chǎn)完成后的調(diào)試過(guò)程中,發(fā)現(xiàn) ddr3 的信號(hào)出現(xiàn)非單調(diào)性。
更新時(shí)間:2025-06-27
Pcie3.0x8 眼圖測(cè)試 物理層一致性測(cè)試
pcie3.0x8 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試deviceid和vendor id寄存器這兩個(gè)寄存器的值由pcisig分配,只讀。其中vendor id代表pci設(shè)備的生產(chǎn)廠(chǎng)商,而device id代表這個(gè)廠(chǎng)商所生產(chǎn)的具體設(shè)備。如xilinx公司的k7,其vendor id為0x10ee,而device id為0x7028。
更新時(shí)間:2025-06-27
Pcie3.0x16 眼圖測(cè)試 物理層一致性測(cè)試
pcie3.0x16 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試獲得的信號(hào)波形沒(méi)有出現(xiàn)非單調(diào)的情況。按照以上設(shè)計(jì)改板后的測(cè)試結(jié)果與仿真 致。 如果不進(jìn)行仿真,那么只能在產(chǎn)品設(shè)計(jì)完成之后進(jìn)行測(cè)試才能發(fā)現(xiàn)問(wèn)題,如果要改善, 只能再改板調(diào)整,還可能出現(xiàn)改板很多次的情況,這樣就會(huì)延遲產(chǎn)品上市時(shí)間并增加物料成本。
更新時(shí)間:2025-06-27
EMMC 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試
emmc 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試emmc 芯片下方在敷銅時(shí),焊盤(pán)部分要增加敷銅禁布框,避免銅皮分布不均影響散熱,導(dǎo)致貼片虛焊。
更新時(shí)間:2025-06-27
EMMC 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試
emmc 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試電源紋波測(cè)試過(guò)大的問(wèn)題通常和使用的探頭以及端的連接方式有關(guān)。先檢查了用戶(hù)探頭的連接方式,發(fā)現(xiàn)其使用的是如下面左圖所示的長(zhǎng)的鱷魚(yú)夾地線(xiàn),而且接地點(diǎn)夾在了單板的固定螺釘上,整個(gè)地環(huán)路比較大。由于大的地環(huán)路會(huì)引入更多的開(kāi)關(guān)電源造成的空間電磁輻射噪聲以及地環(huán)路噪聲,于是更換成如下面右圖所示的短的接地彈簧針。
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EMMC 控制信號(hào)測(cè)試 控制信號(hào)過(guò)沖測(cè)試 控制信號(hào)高低電平測(cè)試
emmc 控制信號(hào)測(cè)試 控制信號(hào)過(guò)沖測(cè)試 控制信號(hào)高低電平測(cè)試
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EMMC 復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試 DQS測(cè)試
emmc 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試這是個(gè)典型的電源紋波測(cè)試的問(wèn)題。我們通過(guò)使用短的地線(xiàn)連接、換用低衰減比的探頭以及帶寬限制功能使得紋波噪聲的測(cè)試結(jié)果大大改善。
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EMMC4 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試
emmc4 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試實(shí)際上就是把電纜的頭接在示波器上,示波器設(shè)置為50歐姆輸入阻抗;電纜的另頭剝開(kāi),屏蔽層焊接在被測(cè)電路地上,中心導(dǎo)體通過(guò)個(gè)隔直電容連接被測(cè)的電源信號(hào)。這種方法的優(yōu)點(diǎn)是低成本,低衰減比,缺點(diǎn)是致性不好,隔直電容參數(shù)及帶寬不好控制。
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Emmc5 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試
相關(guān)產(chǎn)品:emmc5 , 上電時(shí)序測(cè)試 , 電源紋波測(cè)試 , 時(shí)鐘測(cè)試 , 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試通俗的來(lái)說(shuō),emmc=nand閃存+閃存控制芯片+標(biāo)準(zhǔn)接口封裝。
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EMMC4 復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試 DQS測(cè)試
emmc4 , 復(fù)位測(cè)試 , clk測(cè)試 , dqs測(cè)試emmc則在其內(nèi)部集成了 flash controller,包括了協(xié)議、擦寫(xiě)均衡、壞塊管理、ecc校驗(yàn)、電源管理、時(shí)鐘管理、數(shù)據(jù)存取等功能。
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EMMC5 復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試 DQS測(cè)試
emmc5 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試包括card interface(cmd,data,clk)、memory core interface、總線(xiàn)接口控制(card interface controller)、電源控制、寄存器組。
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EMMC5 復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試
emmc5 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試mmc通過(guò)發(fā)cmd的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)卡的初始化和數(shù)據(jù)訪(fǎng)問(wèn)。device identification mode包括3個(gè)階段idle state、ready state、identification state。
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EMMC4 復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試 DQS測(cè)試 EMMC5 復(fù)位測(cè)試
emmc4 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試 emmc5 復(fù)位測(cè)試identification state,發(fā)送完 cid 后,emmc device就會(huì)進(jìn)入該階段。
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電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 Emmc5 上電時(shí)序測(cè)試
相關(guān)產(chǎn)品:電源紋波測(cè)試 , 時(shí)鐘測(cè)試 , 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 , emmc5 , 上電時(shí)序測(cè)試
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CLK測(cè)試 DQS測(cè)試 EMMC4 上電時(shí)序測(cè)試
相關(guān)產(chǎn)品:clk測(cè)試 , dqs測(cè)試 , emmc4 , 上電時(shí)序測(cè)試data strobe 時(shí)鐘信號(hào)由 emmc 發(fā)送給 host,頻率與 clk 信號(hào)相同,用于 host 端進(jìn)行數(shù)據(jù)接收的同步。data strobe 信號(hào)只能在 hs400 模式下配置啟用,啟用后可以提高數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆€(wěn)定性,省去總線(xiàn) tuning 過(guò)程。
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CLK測(cè)試 DQS測(cè)試 EMMC4 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試
相關(guān)產(chǎn)品:clk測(cè)試 , dqs測(cè)試 , emmc4 , 上電時(shí)序測(cè)試 , 電源紋波測(cè)試
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